Latch-Up相关论文
A novel substrate trigger semiconductor control rectifier-laterally diffused metal–oxide semiconductor (STSCR-LDMOS) st......
,Investigation on latch-up susceptibility induced by high-power microwave in complementary metal-oxi
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该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
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本文提出并实现了一种具有反压保护功能的微功耗LDO.一方面采用新型自适应栅衬偏置技术,使导通管的栅/衬极在输入输出反压状态下自......
针对一类典型太阳翼,采用NASTRAN和ADAMS软件建立了太阳翼展开锁定通用分析模型;提出了一种改进的铰链建模方法,能够考虑铰链的所......
针对CMOS器件的闩锁现象,结合三种实际的应用电路分析了电路系统中闩锁的几种典型表现形式及其解决的方法,讨论了电路设计时避免闩......
在现行教材中，有关参数方程所示曲线的图像特点、描绘方法以及自身封闭所围成的平面图形的面积等都未给出明确的求法，为此，文中给出了......
详细分析了平板显示器驱动芯片中的Latch-up现象，在此基础上采用了一种克服Latch-up的方法：在低压部分增加多子保护环，在高低压之间增......
详细分析了平板显示器驱动芯片中的Latch-up现象，在此基础上采用了一种克服Latch-up的方法：在低压部分增加多子保护环，在高低压之间增......
闩锁效应是CMOS集成电路在实际应用中失效的主要原因之一，本文从CMOS集成电路工艺结构出发，详细地分析了闩锁效应的形成机理，并从版图......
感性负载由于其固有的特点,在开关瞬间会产生高压脉冲,其驱动IC在设计中要特别注意版图的布局,以尽可能地消除输出对前级电路的影......
阐述了在Latch-up测试中负电流的产生机理,以及芯片内部寄生双极晶体管对负电流的连锁反应机理,并以模拟电压缓冲器和线性稳压器为......
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体硅互补型金属-氧化物半导体集成电路含有寄生4层可控硅结构，当工作在瞬时γ射线脉冲辐射环境下时易发生闩锁，导致电路失效，甚至烧毁......
对在多级电源系统可靠性设计中遇到的几个关于闩锁的问题进行了研究，针对闩锁产生的原因进行分析，并提出解决方法。......
Cooperation between manufacturing and other functional groups is critical to improve the success of new products. Howeve......
本文简要描述了CMOS集成电路的闭锁机理,提出了消除CMOS集成电路闭锁的n~-/n~+外延加双保护环结构;把这种结构用于CC4066电路,在5.......
本文主要介绍CM303双二选一模拟开关电路的基本结构,包括从电路的版图设计、工艺设计原则,以及采用埋层外延技术,本电路以实现消除......
本文主要论述集成电路加速寿命测试理论方法和IC常见失效模式。加速寿命测试包括定性高加速寿命HALT测试技术和定量加速寿命测试Ar......
每一个系统都有自己的VDD、GND，信号都是相对本系统的GND而言。在某些特殊场合，系统间信号传输切换伴随着“共地”的过程，在这样的过......
静电释放(Electro-Static discharge,简称ESD)是指电荷在两个电势不等的物体之间转移的物理现象,它存在于人们日常工作生活的任意......
